Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
ALD110900PAL
Product Overview
Производитель:
Advanced Linear Devices Inc.
Номер детали:
ALD110900PAL-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Подробное описание:
Mosfet Array 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
Инвентаризация:
47 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13216821
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ALD110900PAL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Advanced Linear Devices
Упаковка
Tube
Серия
EPAD®, Zero Threshold™
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
10.6V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
500Ohm @ 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
20mV @ 1µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2.5pF @ 5V
Мощность - Макс
500mW
Рабочая температура
0°C ~ 70°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Комплект устройства поставщика
8-PDIP
Базовый номер продукта
ALD110900
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
ALD110800,900(A)
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
1014-1032
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ALD1103SBL
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
ALD310708ASCL
MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
ALD114804SCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
ALD114913PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP