Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
AON6812
Product Overview
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Номер детали:
AON6812-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8DFN
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 27A 4.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12849833
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
AON6812 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A
Rds On (макс.) @ id, vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1720pF @ 15V
Мощность - Макс
4.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
8-DFN-EP (5x6)
Базовый номер продукта
AON681
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
AON6812
HTML Спецификация
AON6812-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
785-1630-6
785-1630-2
785-1630-1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AO4884L_001
MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
FDMA1023PZ
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
FDG6314P
MOSFET 2P-CH 25V SC88
AO4852L
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC