AONV110A60
Производитель Номер продукта:

AONV110A60

Product Overview

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Номер детали:

AONV110A60-DG

Описание:

N
Подробное описание:
N-Channel 600 V 5.3A (Ta), 35A (Tc) 8.3W (Ta), 357W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)

Инвентаризация:

12995978
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

AONV110A60 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Упаковка
Tube
Серия
aMOS5™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.3A (Ta), 35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4140 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
8.3W (Ta), 357W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-DFN (8x8)
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Базовый номер продукта
AONV110

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,500
Другие названия
785-AONV110A60

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
rohm-semi

RSS100N03HZGTB

NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS