Производитель Номер продукта:
AOTF11S65L
Product Overview
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Номер детали:
AOTF11S65L-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F
Инвентаризация:
2967 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849651
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
AOTF11S65L Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Упаковка
Tube
Серия
aMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
399mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
646 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
AOTF11
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
AOTF11S65L-DG
785-1517-5
5202-AOTF11S65L
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AOWF11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
FQI1P50TU
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
