Производитель Номер продукта:
AS1M025120P
Product Overview
Производитель:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Номер детали:
AS1M025120P-DG
Описание:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
124 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001331
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
AS1M025120P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Anbon Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 15mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
195 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3600 pF @ 1000 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
463W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
4530-AS1M025120P
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G45P40T
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
MMFTP3334K
MOSFET SOT23 P -30V -4A 0.071OHM
MCU110N08Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,DPAK