Производитель Номер продукта:
UPA810T-T1-A
Product Overview
Производитель:
CEL
Номер детали:
UPA810T-T1-A-DG
Описание:
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
Подробное описание:
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 100mA 4.5GHz 200mW Surface Mount 6-SuperMiniMold
Инвентаризация:
27000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966861
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
UPA810T-T1-A Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Биполярные радиочастотные транзисторы
Производитель
CEL (California Eastern Laboratories)
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
12V
Частота - переход
4.5GHz
Коэффициент шума (дБ Typ @ f)
1.2dB @ 1GHz
Прибыль
9dB
Мощность - Макс
200mW
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 7mA, 3V
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
6-SuperMiniMold
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
3923-UPA810T-T1-ATR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.31.0000
Альтернативные модели
Номер детали
HN3C10FUTE85LF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
101
Номер части
HN3C10FUTE85LF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.31
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NE68819-T1-A
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
NE85639-T1-A
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
NE68033-T1B-A
SAME AS 2SC3585 NPN SILICON AMPL
