Производитель Номер продукта:
CP775-CWDM3011P-CM
Product Overview
Производитель:
Central Semiconductor Corp
Номер детали:
CP775-CWDM3011P-CM-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
Подробное описание:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount Die
Инвентаризация:
12954362
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CP775-CWDM3011P-CM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Central Semiconductor
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3100 pF @ 8 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Die
Упаковка / Чехол
Die
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
100
Другие названия
1514-CP775-CWDM3011P-CM
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI5418DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SD214DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
SIDR104ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
