2DB1132R-13
Производитель Номер продукта:

2DB1132R-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

2DB1132R-13-DG

Описание:

TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 1 A 190MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3

Инвентаризация:

2670 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12883371
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2DB1132R-13 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
32 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 3V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
190MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-243AA
Комплект устройства поставщика
SOT-89-3
Базовый номер продукта
2DB1132

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2DB1132RDITR
2DB1132RDIDKR
2DB1132R13
2DB1132RDICT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DXT5401-13

TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3

diodes

DXTP3C60PS-13

TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8

diodes

DXTN07100BP5-13

TRANS NPN 100V 2A POWERDI5

diodes

2DD2661-13

TRANS NPN 12V 2A SOT89-3