Производитель Номер продукта:
2N7002DWQ-13-F
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
2N7002DWQ-13-F-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 230mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Инвентаризация:
10000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987362
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N7002DWQ-13-F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
50pF @ 25V
Мощность - Макс
310mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SOT-363
Базовый номер продукта
2N7002
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-2N7002DWQ-13-FTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CAS175M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 228A
SIZF5302DT-T1-RE3
MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
HAT2218R0T-EL-E
MOSFET N-CH
