Производитель Номер продукта:
BCX5616QTC
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
BCX5616QTC-DG
Описание:
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T&
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
Инвентаризация:
4000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12979548
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BCX5616QTC Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
80 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Мощность - Макс
1 W
Частота - переход
150MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-243AA
Комплект устройства поставщика
SOT-89-3
Базовый номер продукта
BCX5616
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
31-BCX5616QTCCT
31-BCX5616QTCTR
31-BCX5616QTCDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
JANS2N3499UB
SMALL-SIGNAL BJT
2N1715S
POWER BJT
JANSL2N5154U3
RH POWER BJT
