BS107PSTOA
Производитель Номер продукта:

BS107PSTOA

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

BS107PSTOA-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Подробное описание:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Инвентаризация:

12898776
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BS107PSTOA Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.6V, 5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
E-Line (TO-92 compatible)
Упаковка / Чехол
E-Line-3
Базовый номер продукта
BS107

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM60NB260CI C0G

MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB

taiwan-semiconductor

TSM7N65ACI C0G

MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB

diodes

DMG3413L-7

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM190N08CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220