BS170PSTOB
Производитель Номер продукта:

BS170PSTOB

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

BS170PSTOB-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
Подробное описание:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Инвентаризация:

12901397
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BS170PSTOB Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
270mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
625mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
E-Line (TO-92 compatible)
Упаковка / Чехол
E-Line-3
Базовый номер продукта
BS170

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095

Альтернативные модели

Номер детали
VN2106N3-G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6842
Номер части
VN2106N3-G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.34
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMTH6016LFVW-7

MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333

fairchild-semiconductor

FDFMA2P859T

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

diodes

DMN62D0LFB-7

MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN

diodes

DMP2033UVT-13

MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26