Производитель Номер продукта:
DDA123JH-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DDA123JH-7-DG
Описание:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
Инвентаризация:
12888765
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DDA123JH-7 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
2.2kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
-
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
150mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-563
Базовый номер продукта
DDA123
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DDA123JH-7CT
31-DDA123JH-7DKR
31-DDA123JH-7TR
DDA123JH-7-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
EMB10T2R
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
16000
Номер части
EMB10T2R-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DDC124EU-7-F
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
DDA144EH-7
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
RN1905,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6