Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
DMC67D8UFDBQ-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMC67D8UFDBQ-7-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 0.39A 6UDFN
Подробное описание:
Mosfet Array 60V, 20V 390mA (Ta), 2.9A (Ta) 580mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12884403
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMC67D8UFDBQ-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel Complementary
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V, 20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
390mA (Ta), 2.9A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
4Ohm @ 500mA, 10V, 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
41pF @ 25V, 443pF @ 16V
Мощность - Макс
580mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type B)
Базовый номер продукта
DMC67
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
DMC67D8UFDBQ-7
HTML Спецификация
DMC67D8UFDBQ-7-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMC67D8UFDBQ-7DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3015LSD-13
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
DMC1028UFDB-7
MOSFET N/P-CH 12V 6A/3.4A 6UDFN
2N7002DW-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
DMC1229UFDB-13
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN