Производитель Номер продукта:
DMG1012T-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMG1012T-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Подробное описание:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Инвентаризация:
18767 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12883569
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMG1012T-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
630mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60.67 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
280mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-523
Упаковка / Чехол
SOT-523
Базовый номер продукта
DMG1012
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMG1012T-13TR
31-DMG1012T-13DKR
31-DMG1012T-13CT
DMG1012T-13-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP57D5UFB-7
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
DMP3098LSS-13
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP
DMP2006UFG-13
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI