Производитель Номер продукта:
DMG1012T-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMG1012T-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Подробное описание:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Инвентаризация:
435659 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884464
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMG1012T-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
630mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60.67 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
280mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-523
Упаковка / Чехол
SOT-523
Базовый номер продукта
DMG1012
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMG1012T-7DITR
DMG1012T-7DICT
DMG1012T-7-DG
DMG1012T7
Q4768583
DMG1012T-7DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMG2301LK-13
MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
DMTH4007LK3-13
MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
DMN3005LK3-13
MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3
