Производитель Номер продукта:
DMG3415UFY4Q-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMG3415UFY4Q-7-DG
Описание:
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Подробное описание:
P-Channel 16 V 2.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2015-3
Инвентаризация:
53259 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890531
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMG3415UFY4Q-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
16 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
282 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
650mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN2015-3
Упаковка / Чехол
3-XDFN
Базовый номер продукта
DMG3415
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMG3415UFY4Q-7DIDKR
DMG3415UFY4Q-7DICT
DMG3415UFY4Q-7DITR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPN2R503NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
TPCP8001-H(TE85LFM
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
TPCA8008-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
