DMG3415UFY4Q-7
Производитель Номер продукта:

DMG3415UFY4Q-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMG3415UFY4Q-7-DG

Описание:

MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Подробное описание:
P-Channel 16 V 2.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2015-3

Инвентаризация:

53259 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890531
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMG3415UFY4Q-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
16 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
282 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
650mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN2015-3
Упаковка / Чехол
3-XDFN
Базовый номер продукта
DMG3415

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMG3415UFY4Q-7DIDKR
DMG3415UFY4Q-7DICT
DMG3415UFY4Q-7DITR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCP8001-H(TE85LFM

MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8008-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK7P60W5,RVQ

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK