Производитель Номер продукта:
DMG4800LFG-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMG4800LFG-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 7.44A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
Инвентаризация:
8474 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884499
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMG4800LFG-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.44A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.47 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
798 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
940mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN3030-8
Упаковка / Чехол
8-PowerUDFN
Базовый номер продукта
DMG4800
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMG4800LFG7
DMG4800LFG-7DICT
DMG4800LFG-7DITR
DMG4800LFG-7DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN95H2D2HCTI
MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
DMG3415U-13
MOSFET P-CH DFN-3