Производитель Номер продукта:
DMG6601LVT-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMG6601LVT-7-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
Инвентаризация:
61614 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12903704
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMG6601LVT-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.8A, 2.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
55mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
422pF @ 15V
Мощность - Макс
850mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Комплект устройства поставщика
TSOT-26
Базовый номер продукта
DMG6601
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMG6601LVT-7DICT
DMG6601LVT-7DITR
DMG6601LVT-7DIDKR
DMG6601LVT7
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZDM4306NTC
MOSFET 2N-CH 60V 2A SM8
DMC3016LNS-13
MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
ZXMP3A17DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8SO
