Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
DMHC10H170SFJ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMHC10H170SFJ-13-DG
Описание:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
Инвентаризация:
8922 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12898168
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMHC10H170SFJ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A, 2.3A
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1167pF @ 25V
Мощность - Макс
2.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
12-VDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
V-DFN5045-12
Базовый номер продукта
DMHC10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
DMHC10H170SFJ-13
HTML Спецификация
DMHC10H170SFJ-13-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMHC10H170SFJ-13DICT
DMHC10H170SFJ-13DITR
DMHC10H170SFJ-13DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM200N03DPQ33 RGG
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN
BSS138DWQ-13
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
DMPH6050SSDQ-13
MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SO
DMN3055LFDB-13
MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN