DMHC10H170SFJ-13
Производитель Номер продукта:

DMHC10H170SFJ-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMHC10H170SFJ-13-DG

Описание:

MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12

Инвентаризация:

8922 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12898168
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMHC10H170SFJ-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A, 2.3A
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1167pF @ 25V
Мощность - Макс
2.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
12-VDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
V-DFN5045-12
Базовый номер продукта
DMHC10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMHC10H170SFJ-13DICT
DMHC10H170SFJ-13DITR
DMHC10H170SFJ-13DIDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM200N03DPQ33 RGG

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN

diodes

BSS138DWQ-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363

diodes

DMPH6050SSDQ-13

MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SO

diodes

DMN3055LFDB-13

MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN