Производитель Номер продукта:
DMJ65H430SCTI
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMJ65H430SCTI-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A
Подробное описание:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole ITO220AB-N (Type HE)
Инвентаризация:
12986538
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMJ65H430SCTI Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
775 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
ITO220AB-N (Type HE)
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Базовый номер продукта
DMJ65
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
31-DMJ65H430SCTI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP2016UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
SI4155DY-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
DMN2055UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
