DMJ70H1D3SJ3
Производитель Номер продукта:

DMJ70H1D3SJ3

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMJ70H1D3SJ3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Подробное описание:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

Инвентаризация:

12888383
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMJ70H1D3SJ3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
351 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 155°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
DMJ70

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
75

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMP3007SCG-7

MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN

diodes

DMP32D4S-13

MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23

diodes

DMG2302UK-7

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23

diodes

DMT6005LCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB