Производитель Номер продукта:
DMN1008UFDF-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN1008UFDF-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Инвентаризация:
39895 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884260
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN1008UFDF-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23.4 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
995 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMN1008
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
DMN1008UFDF-13DICT
DMN1008UFDF-13-DG
DMN1008UFDF-13DITR
DMN1008UFDF-13DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMPH6050SFG-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
DMP2540UCB9-7
MOSFET P-CH 25V 4A U-WLB1515-9
DMN10H120SE-13
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
