Производитель Номер продукта:
DMN1019UFDE-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN1019UFDE-7-DG
Описание:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Подробное описание:
N-Channel 12 V 11A (Ta) 690mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Инвентаризация:
314431 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888265
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN1019UFDE-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2425 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
690mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type E)
Упаковка / Чехол
6-PowerUDFN
Базовый номер продукта
DMN1019
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN1019UFDE-7DIDKR
DMN1019UFDE-7DITR
DMN1019UFDE7
DMN1019UFDE-7DICT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH6016LFVWQ-7
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
DMP2007UFG-7
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
BSS123TA
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
