Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
DMN1019UFDE-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN1019UFDE-7-DG
Описание:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Подробное описание:
N-Channel 12 V 11A (Ta) 690mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Инвентаризация:
314431 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888265
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN1019UFDE-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2425 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
690mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type E)
Упаковка / Чехол
6-PowerUDFN
Базовый номер продукта
DMN1019
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
DMN1019UFDE-7
HTML Спецификация
DMN1019UFDE-7-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN1019UFDE-7DIDKR
DMN1019UFDE-7DITR
DMN1019UFDE7
DMN1019UFDE-7DICT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH6016LFVWQ-7
MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333
DMP2007UFG-7
MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
BSS123TA
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
DMG4496SSS-13
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP