Производитель Номер продукта:
DMN1019USNQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN1019USNQ-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Подробное описание:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Инвентаризация:
12992716
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN1019USNQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2426 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
680mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-59-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
DMN1019
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMN1019USNQ-13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN1019USNQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMN1019USNQ-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH10H032LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
NTPF190N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
PMX3000ENEZ
PMX3000ENEZ
