Производитель Номер продукта:
DMN10H170SFDE-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN10H170SFDE-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Инвентаризация:
12882860
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN10H170SFDE-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1167 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
660mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type E)
Упаковка / Чехол
6-PowerUDFN
Базовый номер продукта
DMN10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
DMN10H170SFDE-13DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN10H170SFDE-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2853
Номер части
DMN10H170SFDE-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.14
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP1022UWS-13
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
DMNH4006SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8
DMN2011UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
