Производитель Номер продукта:
DMN10H170SFG-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN10H170SFG-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Подробное описание:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Инвентаризация:
5900 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884809
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN10H170SFG-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
122mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
870.7 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
940mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMN10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN10H170SFG-13DKR-DG
DMN10H170SFG-13CT-DG
DMN10H170SFG-13DICT
DMN10H170SFG-13CT
DMN10H170SFG-13DITR
DMN10H170SFG-13TR-DG
DMN10H170SFG-13DKR
DMN10H170SFG-13TR
DMN10H170SFG-13DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMPH6050SFG-7
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
BSN20-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
DMPH4015SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
