Производитель Номер продукта:
DMN10H220LPDW-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN10H220LPDW-13-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 100V 8A POWERDI50
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 8A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type R)
Инвентаризация:
12979133
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN10H220LPDW-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
222mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
384pF @ 25V
Мощность - Макс
2.2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
PowerDI5060-8 (Type R)
Базовый номер продукта
DMN10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMN10H220LPDW-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT69M9LPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 11A/44A PWRDI50
DMTH8030LPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 80V 28.5A POWERDI50
DMT4031LSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 6.3A 8SO
