Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
DMN12M3UCA6-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN12M3UCA6-7-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 14V X4-DSN3118-6
Подробное описание:
Mosfet Array 14V 24.4A (Ta) 1.1W Surface Mount X4-DSN3118-6
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13000792
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN12M3UCA6-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
14V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24.4A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 1.41mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68.6nC @ 4V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4593pF @ 10V
Мощность - Макс
1.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-SMD, No Lead
Комплект устройства поставщика
X4-DSN3118-6
Базовый номер продукта
DMN12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
DMN12M3UCA6
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMN12M3UCA6-7TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NXH010P90MNF1PG
SIC 2N-CH 900V 154A
MSCSM120DDUM31CTBL2NG
SIC 4N-CH 1200V 79A
DMT4015LDV-13
MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333
DMTH8030LPDW-13
MOSFET 2N-CH 80V 28.5A POWERDI50