Производитель Номер продукта:
DMN14M8UFDF-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN14M8UFDF-7-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Подробное описание:
N-Channel 12 V 14.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Инвентаризация:
12987024
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN14M8UFDF-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1246 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMN14
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMN14M8UFDF-7TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STMFS4935NT1G
STMFS4935NT1G
NTMFS5C442NLTWFT1G
NTMFS5C442NLTWFT1G
NTMFS4931NT1G-IRH1
NTMFS4931NT1G-IRH1
