DMN2005LP4K-7
Производитель Номер продукта:

DMN2005LP4K-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN2005LP4K-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Подробное описание:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Инвентаризация:

30047 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12898972
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN2005LP4K-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 100µA
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
41 pF @ 3 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
400mW (Ta)
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN1006-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
DMN2005

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN2005LP4KDITR
DMN2005LP4K7
DMN2005LP4KDIDKR
DMN2005LP4KDICT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM70N1R4CH C5G

MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251

taiwan-semiconductor

TSM70N900CP ROG

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252

taiwan-semiconductor

TSM4ND60CI C0G

MOSFET N-CH 600V 4A ITO220

taiwan-semiconductor

TSM2314CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23