Производитель Номер продукта:
DMN2005UFG-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2005UFG-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Подробное описание:
N-Channel 20 V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Инвентаризация:
5947 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12888130
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2005UFG-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6495 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.05W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMN2005
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN2005UFG-13DITR
DMN2005UFG-13DICT
DMN2005UFG-13DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2450UFB4-7R
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
DMN3067LW-13
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
DMTH4008LPSQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI5060