Производитель Номер продукта:
DMN2009USS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2009USS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Подробное описание:
N-Channel 20 V 12.1A (Ta) 1.4W Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
1557 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891619
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2009USS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1706 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
DMN2009
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
31-DMN2009USS-13DKR
31-DMN2009USS-13TR
DMN2009USS-13DI
31-DMN2009USS-13CT
DMN2009USS-13DI-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
SSM6K407TU,LF
MOSFET N-CH 60V 2A UF6
DMN2400UFDQ-13
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
