Производитель Номер продукта:
DMN2011UFDE-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2011UFDE-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Инвентаризация:
44870 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12882931
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2011UFDE-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2248 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
610mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type E)
Упаковка / Чехол
6-PowerUDFN
Базовый номер продукта
DMN2011
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN2011UFDE-7DIDKR
DMN2011UFDE-7DITR
DMN2011UFDE-7DICT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3025LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
DMN62D0U-13
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
DMP4011SK3-13
MOSFET P-CH 40V 14A/74A TO252
