Производитель Номер продукта:
DMN2011UTS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2011UTS-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
Подробное описание:
N-Channel 20 V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Инвентаризация:
165 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884833
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2011UTS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2248 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Базовый номер продукта
DMN2011
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMN2011UTS-13-DG
DMN2011UTS-13DICT
DMN2011UTS-13DIDKR
DMN2011UTS-13DITR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP22D4UFO-7B
MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN
DMN63D1LT-13
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
DMP2040UVT-13
MOSFET P-CH 20V TSOT26
