Производитель Номер продукта:
DMN2013UFDEQ-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2013UFDEQ-7-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Подробное описание:
N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Инвентаризация:
12986986
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2013UFDEQ-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25.8 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2453 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
660mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type E)
Упаковка / Чехол
6-PowerUDFN
Базовый номер продукта
DMN2013
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMN2013UFDEQ-7TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN2013UFDE-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3000
Номер части
DMN2013UFDE-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.14
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9Y7R0-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
PJW4P06A_R2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
DMN3061LCA3-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006
