DMN2015UFDF-13
Производитель Номер продукта:

DMN2015UFDF-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN2015UFDF-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 20 V 15.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6

Инвентаризация:

12882093
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN2015UFDF-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1439 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMN2015

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
DMN2015UFDF-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3000
Номер части
DMN2015UFDF-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.12
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFR120TRPBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

diodes

DMTH4004SK3Q-13

MOSFET N-CH 40V 100A TO252

diodes

DMT10H015LK3-13

MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

diodes

2N7002H-7

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23