Производитель Номер продукта:
DMN2016UTS-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2016UTS-13-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP
Инвентаризация:
9750 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12887786
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2016UTS-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.58A
Rds On (макс.) @ id, vgs
14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1495pF @ 10V
Мощность - Макс
880mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Базовый номер продукта
DMN2016
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMN2016UTS-13DITR
DMN2016UTS13
DMN2016UTS-13DICT
DMN2016UTS-13DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ZXMN6A25DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
DMHC4035LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO
DMC2020USD-13
MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO