DMN22M5UFG-7
Производитель Номер продукта:

DMN22M5UFG-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN22M5UFG-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
Подробное описание:
N-Channel 20 V 24A (Ta), 27A (Tc) 600mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Инвентаризация:

3700 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921714
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN22M5UFG-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Ta), 27A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3926 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
600mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMN22

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMN22M5UFG-7TR
31-DMN22M5UFG-7CT
31-DMN22M5UFG-7DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SUP90330E-GE3

MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB

vishay-siliconix

SIRC10DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SISA16DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

micro-commercial-components

MSJPF11N65-BP

MOSFET N-CH 650V 11A TO220F