DMN2310UTQ-7
Производитель Номер продукта:

DMN2310UTQ-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN2310UTQ-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Инвентаризация:

2963 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987631
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN2310UTQ-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
38 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
290mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-523
Упаковка / Чехол
SOT-523
Базовый номер продукта
DMN2310

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMN2310UTQ-7DKR
31-DMN2310UTQ-7TR
31-DMN2310UTQ-7CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095

Альтернативные модели

Номер детали
DMN2310UT-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMN2310UT-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQP19N20-T

MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3

global-power-technologies-group

GP2T080A120H

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

toshiba-semiconductor-and-storage

TW045N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO

diodes

DMT15H017SK3-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&