DMN2710UT-13
Производитель Номер продукта:

DMN2710UT-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN2710UT-13-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Подробное описание:
N-Channel 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Инвентаризация:

12999685
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN2710UT-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
870mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
42 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
320mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-523
Упаковка / Чехол
SOT-523
Базовый номер продукта
DMN2710

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMN2710UT-13TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095

Альтернативные модели

Номер детали
DMN2710UTQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1532
Номер части
DMN2710UTQ-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.05
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI6423DQ-T1-BE3

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

goford-semiconductor

60N06

MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

goford-semiconductor

G7P03L

P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34

goford-semiconductor

GC11N65M

MOSFET N-CH 650V 11A TO-263