DMN3018SFG-7
Производитель Номер продукта:

DMN3018SFG-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN3018SFG-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Инвентаризация:

2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12898893
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN3018SFG-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
697 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMN3018

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
DMN3018SFG-7DICT
DMN3018SFG-7DITR
31-DMN3018SFG-7DKR
31-DMN3018SFG-7CT
DMN3018SFG-7-DG
DMN3018SFG-7DIDKR
31-DMN3018SFG-7TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM2318CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM70N600CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO252

diodes

DMTH10H009SPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060