Производитель Номер продукта:
DMN3022LDG-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN3022LDG-7-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 7.6A (Ta), 15A (Tc) 1.96W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)
Инвентаризация:
12883499
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN3022LDG-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
481pF @ 15V, 996pF @ 15V
Мощность - Макс
1.96W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerLDFN
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8 (Type D)
Базовый номер продукта
DMN3022
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN61D9UDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
VQ1006P-E3
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
DMN2023UCB4-7
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
