Производитель Номер продукта:
DMN3025LFDF-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN3025LFDF-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 9.9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Инвентаризация:
12884200
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN3025LFDF-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
641 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMN3025
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMN3025LFDF-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2882
Номер части
DMN3025LFDF-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.10
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMG3414U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
DMT4008LSS-13
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO
DMN67D8LV-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
