DMN30H4D0L-7
Производитель Номер продукта:

DMN30H4D0L-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN30H4D0L-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Подробное описание:
N-Channel 300 V 250mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Инвентаризация:

20142 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891839
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN30H4D0L-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
187.3 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
310mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
DMN30

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN30H4D0L-7DITR
DMN30H4D0L-7DICT
DMN30H4D0L-7DIDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM60NB150CF C0G

MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K15AMFV,L3F

MOSFET N-CH 30V 100MA VESM

diodes

DMN3010LSS-13

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

diodes

DMG4N60SJ3

MOSFET N-CH 600V 3A TO251