Производитель Номер продукта:
DMN30H4D0LFDE-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN30H4D0LFDE-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 300 V 550mA (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Инвентаризация:
12899552
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN30H4D0LFDE-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
550mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
187.3 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
630mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type E)
Упаковка / Чехол
6-PowerUDFN
Базовый номер продукта
DMN30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMN30H4D0LFDE-13CT
DMN30H4D0LFDE-13DI-DG
31-DMN30H4D0LFDE-13DKR
DMN30H4D0LFDE-13DI
31-DMN30H4D0LFDE-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2450UFD-7
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
TSM650P02CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
TSM600P03CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
