DMN3115UDM-7
Производитель Номер продукта:

DMN3115UDM-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN3115UDM-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
Подробное описание:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-26

Инвентаризация:

12900131
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN3115UDM-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
476 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
900mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-26
Упаковка / Чехол
SOT-23-6
Базовый номер продукта
DMN3115

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN3115UDMDIDKR
DMN3115UDMDITR
DMN3115UDM7
DMN3115UDMDICT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMT3003LFG-13

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH C5G

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251

taiwan-semiconductor

TSM2N60ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252

taiwan-semiconductor

TSM60N600CI C0G

MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB