Производитель Номер продукта:
DMN4800LSSQ-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN4800LSSQ-13-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
4524 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12882813
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN4800LSSQ-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
798 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.46W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
DMN4800
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMN4800LSSQ-13DICT
DMN4800LSSQ-13DITR
DMN4800LSSQ-13DI
DMN4800LSSQ-13DIDKR
DMN4800LSSQ-13DI-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMNH10H028SPS-13
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
DMN601WK-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
DMP2170U-7
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23
