DMN6069SE-13
Производитель Номер продукта:

DMN6069SE-13

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN6069SE-13-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
Подробное описание:
N-Channel 60 V 4.3A (Ta), 10A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Инвентаризация:

8365 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12883853
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN6069SE-13 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.3A (Ta), 10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
69mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
825 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-223-3
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
DMN6069

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
DMN6069SE-13DICT
DMN6069SE-13DIDKR
DMN6069SE-13DITR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMP3099LQ-13

MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R

diodes

DMN2400UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

diodes

DMN2991UFZ-7B

MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN

diodes

DMP1555UFA-7B

MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN