DMN6069SFGQ-7
Производитель Номер продукта:

DMN6069SFGQ-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMN6069SFGQ-7-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
Подробное описание:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 2.4W Surface Mount PowerDI3333-8

Инвентаризация:

5980 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884097
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMN6069SFGQ-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1480 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
DMN6069

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMN6069SFGQ-7CT
31-DMN6069SFGQ-7TR
DMN6069SFGQ-7-DG
31-DMN6069SFGQ-7DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMP3012LPS-13

MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060

diodes

DMP3068L-7

MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23

diodes

DMN2004K-7

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3

diodes

DMG7401SFG-13

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8